微惯性传感器及其制造方法 - 专利查询

微惯性传感器及其制造方法

【专利名称】：微惯性传感器及其制造方法
【申请号】：03101007
【公告号】：0000000
【公开号】：1447093
【申请日期】：20030106
【公告日期】：00000000
【公开日期】：20031008
【授权日期】：00000000
【授权公告日】：00000000
【专利类型】：发明专利
【国际分类】：G01C 19/00、H01L 49/00
【范畴】：38B31P
【申请人】：三星电机株式会社
【国家省市】：韩国(KR)
【地址】：韩国京畿道
【发明人】：安承道、金京洙、曹智万
【代理人】：谢丽娜      谷惠敏
【代理机构】：中原信达知识产权代理有限责任公司(11219)
【代理地址】：北京市朝阳区建国路99号中服大厦1300室(100020)
【页码】：19
【附图】：6
【权利要求数】：14
【权利要求】：
    一种微惯性传感器，其特征在于：它包括：下玻璃基片；包括上述下玻璃基片上用来检测第一边缘和第一固定点以及侧面运动检测结构物在内的下硅层；包括分别对应于上述下硅层的第一边缘部、第一固定点及侧面运动检测结

【优先权】：    韩国2002年3月27日16603/2002
【摘要】：
    本发明将提供以如下内容为特征的微惯性传感器，它包括：下玻璃基片；包括上述下玻璃基片上用来检测第一边缘和第一固定点以及侧面运动检测结构物在内的下硅层；包括分别对应于上述下硅层的第一边缘部、第一固定点及侧面运动检测结构物的第二边缘部、经内设金属线的通孔接合的第二固定点以及上述侧面运动检测结构物之间用来检测垂直方向电容量的第二检测用电极在内的上硅层；在上述上硅层和下硅层之间共熔的接合层；位于上述上硅层上部，并具有设置金属配线的通孔的上玻璃基片。此外，在本发明中提供了微惯性传感器制造方法，本发明的目的在于实现产品的小型化和工艺的简化上。

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