CeO2／Si薄膜PL谱的“紫移”科学通报论文
【题名】：CeO2／Si薄膜PL谱的“紫移”科学通报论文(CeO2／SiBaoMoPLPuDe“ZiYi”KeXueTongBaoLunWen) 【关键词】：CeO2／Si薄膜 PL谱 “紫移” 二氧化铈／硅薄膜 光致发光谱 薄膜结构 离子价态 【keywords】：CeO2／SiBaoMo PLPu “ZiYi” ErYangHuaZuo／GuiBaoMo GuangZhiFaGuangPu BaoMoJieGou LiZiJiaTai 【作者】：柴春林 杨少延 等      【来源】： 知识词典 【期刊名称】：科学通报(KeXueTongBao) 【国际标准刊号】：0023-074X        【国内统一刊号】：11-1784 【作者单位】：中国科学院半导体半导体材料科学实验室，北京100083(ZhongGuoKeXueYuanBanDaoTiBanDaoTiCaiLiaoKeXueShiYanShi，BeiJing100083) 【分类号】：O484.41      【页码】：-1511-1513      【出版年】：2001.18         利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜，椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100nm，折射系数约为2．455，实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光（PL）谱存在着“紫移”现象，其移动距离约为65m，利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析表明，PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关，当Ce离子价态发生Ce^4+→Ce^3+变化时，其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动，出现发光锋“紫移”现象。
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